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論文

Uniform Si nano-dot fabrication using reconstructed structure of Si(110)

矢野 雅大; 魚住 雄輝*; 保田 諭; 朝岡 秀人

Japanese Journal of Applied Physics, 57(6S1), p.06HD04_1 - 06HD04_4, 2018/06

 被引用回数:4 パーセンタイル:19.87(Physics, Applied)

We have observed oxide decomposition process on Si(110). We have succeeded to observe metastable area and state by means of scanning tunneling microscope (STM) and X-ray photoemission spectroscopy (XPS), respectively.

論文

Effects of the non quasi steady state on the emission lines in plasmas

加藤 隆子*; 森林 健吾*; 村上 泉*; 大平 光彦*; 久保 博孝; 清水 勝宏

Proc. of 1996 Int. Conf. on Plasma Physics, 1, p.730 - 733, 1996/00

JT-60Uでは、ダイバータ・プラズマにおいて炭素イオンが発する可視光の絶対強度分布を測定している。今までの研究では、CIIおよびCIVについては密度効果を考慮した励起機構によって測定された強度分布がよく説明できたが、CIIIについては計算結果と食い違いがあった。本研究では、CIIIについては準安定状態にあるイオンが基底状態にあるイオンより多いことに着目し、準安定状態および時間発展を考慮したレート方程式によってイオンの存在率を計算した。その結果、CIIIの準安定状態がCIIの基底状態の内殻電離によって生成され長時間存在することがわかった。これにより、JT-60Uで測定されたCIIIの線強度分布が説明できた。

論文

Effects of the non quasi steady state on the emission lines in plasmas

加藤 隆子*; 久保 博孝; 清水 勝宏

Proc. of 1996 Int. Conf. on Plasma Physics, Vol.1, p.730 - 733, 1996/00

JT-60Uのダイバータプラズマでは、炭素イオンの可視発光線の絶対強度分布を測定している。そこでは、CIIIの線強度が、プラズマからの発光線強度を解析する場合に一般的である準平衡状態で説明できないことが示された。我々は、CIIIの準安定準位のポピュレーションが基底準位のポピュレーションより大きいことに注目し、準安定準位を含めてイオン存在率の時間変化を計算した。ここで得られた線強度は、準平衡モデルによって得られた結果の約1/3となり、JT-60Uにおける測定値と準平衡モデルを用いた解析結果の相違が説明できた。

論文

Numerical simulation for metastable states' deexcitation in electron beam evaporation process

西村 昭彦; 柴田 猛順

Journal of Nuclear Science and Technology, 32(9), p.905 - 911, 1995/09

 被引用回数:2 パーセンタイル:28.04(Nuclear Science & Technology)

原子法レーザー同位体分離(AVLIS)では、原子蒸気発生のために電子ビーム蒸発が使用されている。このプロセスの数値計算のために、直接シミュレーションモンテカルロ(DSMC)法を改良した。DSMC法に単純統計モデルを組込むことで、蒸発原子の並進運動と準安定準位間のエネルギー移動を表現した。Gdの5つの準安定準位を計算対象にした。計算結果とレーザー吸収分光法により求めた実験結果との比較により、準安定準位と並進運動間のエネルギー移動が生じるのは衝突ペアの全エネルギーがあるしきい値を超えた場合であることが判明した。本計算コードを改良発展させることで、原子法レーザー同位体分離の蒸発プロセス全体を把握できることが期待できる。

口頭

Time evolution of morphology and electronic state of oxidized Si(110) during reduction process

矢野 雅大; 魚住 雄輝*; 保田 諭; 朝岡 秀人

no journal, , 

We have observed time evolution of morphology and electronic state of oxide Si(110) during reduction process. We found metastable area and state by means of scanning tunneling microscope (STM) and X-ray photoemission spectroscopy (XPS), respectively.

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